Изборът на MOSFET устройство за разглеждане на всички аспекти на факторите, от малък до избор на N-тип или P-тип, тип пакет, голям до MOSFET напрежение, съпротивление при включване и т.н., различните изисквания за приложение варират.Следващата статия обобщава избора на MOSFET устройство от 3-те основни правила, вярвам, че след като прочетете, ще имате много.
1. Първа стъпка за избор на мощен MOSFET: P-тръба или N-тръба?
Има два вида мощни MOSFET: N-канален и P-канал, в процеса на проектиране на системата, за да изберете N-тръба или P-тръба, за конкретно приложение, специфично за избор, N-канални MOSFET за избор на модел, ниска цена;P-канални MOSFETs за избор на модел по-малко, висока цена.
Ако напрежението при S-полюсната връзка на силовия MOSFET не е еталонното заземяване на системата, N-каналът изисква задвижване на захранване с плаващо заземяване, трансформаторно задвижване или задвижващо задвижване, сложна схема на задвижване;P-каналът може да се задвижва директно, задвижването е просто.
Необходимо е да се разгледат главно приложенията с N-канал и P-канал
а.Преносими компютри, настолни компютри и сървъри, използвани за осигуряване на вентилатора за охлаждане на процесора и системата, моторно задвижване на системата за захранване на принтера, прахосмукачки, пречистватели на въздух, електрически вентилатори и други домакински уреди верига за управление на мотора, тези системи използват структура на веригата с пълен мост, всяко мостово рамо на тръбата може да използва P-тръба, може също да използва N-тръба.
b.Комуникационна система 48V входна система от MOSFET с горещо включване, поставени в горния край, можете да използвате P-тръби, можете също да използвате N-тръби.
° С.Входна верига на преносим компютър в серия, играе ролята на анти-обратна връзка и превключване на натоварването на два последователни мощни MOSFET, използването на N-канал трябва да контролира вътрешната интегрирана помпа за зареждане на чипа, използването на P-канал може да се задвижва директно.
2. Избор на тип опаковка
Power MOSFET тип канал за определяне на втората стъпка за определяне на пакета, принципите за избор на пакет са.
а.Повишаването на температурата и топлинният дизайн са най-основните изисквания за избор на опаковката
Различните размери на опаковката имат различно термично съпротивление и разсейване на мощността, в допълнение към отчитането на топлинните условия на системата и температурата на околната среда, като например дали има въздушно охлаждане, ограничения за формата и размера на радиатора, дали средата е затворена и други фактори, основният принцип е да се осигури повишаване на температурата на силовия MOSFET и ефективността на системата, предпоставката за избор на параметри и пакетиране на по-общ мощен MOSFET.
Понякога поради други условия, необходимостта от използване на множество MOSFETs паралелно за решаване на проблема с разсейването на топлината, като например в PFC приложения, контролери за електродвигатели на превозни средства, комуникационни системи, като например приложения за вторично синхронно коригиране на модулно захранване, са избрани в паралелно с множество тръби.
Ако не може да се използва многотръбна паралелна връзка, в допълнение към избора на захранващ MOSFET с по-добра производителност, в допълнение може да се използва пакет с по-голям размер или нов тип пакет, например в някои AC/DC захранвания TO220 ще да бъде променен на пакет TO247;в захранването на някои комуникационни системи се използва новият пакет DFN8*8.
b.Ограничение на размера на системата
Някои електронни системи са ограничени от размера на печатната платка и височината на интериора, като модулното захранване на комуникационните системи поради височината на ограниченията обикновено използват DFN5 * 6, DFN3 * 3 пакет;в някои ACDC захранване, използването на ултра-тънък дизайн или поради ограниченията на обвивката, монтаж TO220 пакет мощност MOSFET щифтове директно в корена, височината на ограниченията не може да използва TO247 пакет.
Някои ултратънки дизайни директно огъват щифтовете на устройството плоски, този производствен процес на дизайн ще стане сложен.
При проектирането на защитна платка за литиева батерия с голям капацитет, поради изключително строгите ограничения на размера, повечето сега използват CSP пакет на ниво чип, за да подобрят максимално топлинните характеристики, като същевременно гарантират най-малкия размер.
° С.Контрол на разходите
Ранните много електронни системи, използващи plug-in пакет, тези години поради увеличените разходи за труд, много компании започнаха да преминават към SMD пакет, въпреки че разходите за заваряване на SMD от plug-in са високи, но високата степен на автоматизация на SMD заваряването, общите разходи все още могат да бъдат контролирани в разумен диапазон.В някои приложения като дънни платки за настолни компютри и платки, които са изключително чувствителни към разходите, захранващите MOSFET транзистори в пакетите DPAK обикновено се използват поради ниската цена на този пакет.
Ето защо, при избора на мощен MOSFET пакет, за да комбинирате стила на собствената си компания и характеристиките на продукта, като вземете предвид горните фактори.
3. Изберете съпротивлението във включено състояние RDSON, забележка: не е ток
Много пъти инженерите са загрижени за RDSON, тъй като RDSON и загубата на проводимост са пряко свързани, колкото по-малък е RDSON, толкова по-малка е загубата на проводимост на MOSFET на мощността, толкова по-висока е ефективността, толкова по-ниско е повишаването на температурата.
По същия начин инженерите, доколкото е възможно, следват предишния проект или съществуващите компоненти в библиотеката с материали, тъй като RDSON на истинския метод за подбор не трябва много да вземат предвид.Когато повишаването на температурата на избраната мощност MOSFET е твърде ниско, поради разходни причини, ще премине към RDSON по-големи компоненти;когато повишаването на температурата на мощния MOSFET е твърде високо, ефективността на системата е ниска, ще премине към RDSON по-малки компоненти или чрез оптимизиране на външната задвижваща верига, подобряване на начина за регулиране на разсейването на топлината и т.н.
Ако това е чисто нов проект, няма предишен проект, който да следвате, тогава как да изберете мощния MOSFET RDSON? Ето един метод, който да ви представим: метод на разпределение на консумацията на енергия.
При проектирането на захранваща система известните условия са: диапазон на входно напрежение, изходно напрежение / изходен ток, ефективност, работна честота, напрежение на задвижване, разбира се, има и други технически индикатори и мощни MOSFETs, свързани главно с тези параметри.Стъпките са както следва.
а.Според обхвата на входното напрежение, изходното напрежение / изходния ток, ефективността, изчислете максималната загуба на системата.
b.Фалшиви загуби на захранваща верига, статични загуби на компоненти, които не са на захранваща верига, статични загуби на IC и загуби на задвижване, за да се направи груба оценка, емпиричната стойност може да представлява 10% до 15% от общите загуби.
Ако захранващата верига има резистор за вземане на проби от ток, изчислете консумацията на енергия на резистора за вземане на проби от ток.Обща загуба минус тези загуби по-горе, останалата част е загубата на мощност на захранващото устройство, трансформатора или индуктора.
Оставащата загуба на мощност ще бъде разпределена към захранващото устройство и трансформатора или индуктора в определена пропорция, и ако не сте сигурни, средното разпределение по броя на компонентите, така че да получите загубата на мощност на всеки MOSFET.
° С.Загубата на мощност на MOSFET се разпределя към загубата при превключване и загубата на проводимост в определена пропорция и ако не е сигурно, загубата при превключване и загубата на проводимост се разпределят по равно.
д.Чрез загубата на проводимост на MOSFET и протичащия RMS ток, изчислете максимално допустимото съпротивление на проводимост, това съпротивление е MOSFET при максималната работна температура на прехода RDSON.
Лист с данни в мощния MOSFET RDSON, маркиран с определени условия на изпитване, в различни определени условия имат различни стойности, температурата на изпитване: TJ = 25 ℃, RDSON има положителен температурен коефициент, така че според най-високата работна температура на свързване на MOSFET и Температурен коефициент на RDSON, от горната изчислена стойност на RDSON, за да получите съответния RDSON при температура 25 ℃.
д.RDSON от 25 ℃, за да изберете подходящия тип мощност MOSFET, според действителните параметри на MOSFET RDSON, надолу или нагоре.
Чрез горните стъпки, предварителният избор на мощностния MOSFET модел и параметрите на RDSON.
Тази статия е извадка от мрежата, моля, свържете се с нас, за да изтрием нарушението, благодарим!
Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. произвежда и изнася различни малки машини за избиране и поставяне от 2010 г. насам. Възползвайки се от нашите собствени богати опитни R&D, добре обучено производство, NeoDen печели страхотна репутация от клиентите по целия свят.
С глобално присъствие в над 130 страни, отличната производителност, висока точност и надеждност на NeoDen PNP машините ги правят идеални за научноизследователска и развойна дейност, професионално създаване на прототипи и производство на малки до средни партиди.Ние предлагаме професионално решение за SMT оборудване на едно място.
Добавяне: No.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Town, Anji County, Huzhou City, Zhejiang Province, Китай
Телефон: 86-571-26266266
Време на публикуване: 19 април 2022 г